铝膜是指用气相沉积、液相沉积、表面转化或其它表面技术制备的氮化铝覆盖层。氮化铝(AIN)是AI-N二元系中稳定的相,它具有共价键、六方纤锌矿结构,在常压下不能熔化,而是在2500K分解它的直接能带间隙高达6.2eV,铝膜厂家也可以通过掺杂成为宽带隙半导体材料。
铝在半导体工艺中被广泛应用,比如形成金属互连线、各种极板等等。从导电性能的角度来看,铝的导电性要比铜和金差一些,但如果用铜代替铝,铜与铝的接触电阻很高,并且如果铜进入器件区将引起器件性能的灾难,而铝则不具有前述问题,因而成为一种很好的选择。它有足够低的电阻率,有很好的过电流密度,对二氧化硅有很好的粘附性,能形成很高的纯度,天然具备与硅的低接触电阻,易于图形化工艺等等。
传统的铝膜湿法刻蚀是基于磷酸。铝膜厂家现有厚铝(厚度以上)刻蚀工艺中由于刻蚀时间长,使用光刻胶厚,导致铝金属侧壁的聚合物(剩余的光刻胶)很厚,后续即使使用多次湿法和干法刻蚀都不能有效把聚合物去除干净。
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